O Microscópio Eletrônico de Varredura por Emissão de Campo (MEV-FEG) HITACHI SU5000 transformou, de maneira definitiva, as operações de microscopia. Graças à sua tecnologia inovadora assistida por computador, conhecida como EM Wizard, o controle e a operação do equipamento atingem um novo patamar. Dessa forma, seja você um especialista ou iniciante, o resultado será sempre o mesmo: imagens em escala nano da mais alta qualidade, agora ao alcance de todos.
O MEV-FEG HITACHI SU5000 oferece uma série de funcionalidades inovadoras, que não apenas elevam a eficiência, mas também aumentam a precisão na operação. Como resultado, o equipamento garante uma experiência excepcional para todos os usuários. A seguir, destacamos os principais recursos:
Interface revolucionária: O EM Wizard proporciona níveis ideais de resolução, repetibilidade e rendimento. Assim, ele permite que iniciantes se tornem especialistas rapidamente, ao mesmo tempo em que otimiza o processo de operação.
Auto-calibração inteligente: O sistema de ajuste automático do eixo restaura o microscópio para as “melhores condições” sob demanda. Consequentemente, isso assegura resultados consistentes e de alta qualidade, sem a necessidade de ajustes manuais.
Câmara de amostra robusta e espaçosa: O design em estilo gaveta acomoda amostras de até 200 mm de diâmetro e 80 mm de altura, permitindo flexibilidade para trabalhar com diferentes tipos de amostras. Isso amplia as possibilidades de pesquisa e experimentação.
Troca rápida de amostras: Graças ao sistema de evacuação eficiente, é possível realizar observações em menos de 3 minutos. Assim, o processo se torna mais ágil e otimizado, sem comprometer a qualidade.
Otimização de imagens sob demanda: O sistema intuitivo e automatizado ajusta as imagens em tempo real, garantindo os melhores resultados possíveis, conforme as necessidades da amostra.
Guia visual interativo: Modos pré-configurados garantem as melhores condições de operação para cada tipo de amostra. Dessa forma, o usuário pode selecionar facilmente o modo mais adequado, sem perder tempo.
Ferramenta 3D MultiFinder: Permite inclinação e rotação das amostras sem perder o foco ou a centralização da imagem. Como resultado, o SU5000 oferece uma visualização completa e precisa das amostras.
Com todas essas características avançadas, o SU5000 se posiciona como o MEV-FEG de alta resolução ideal para usuários de todos os níveis, desde iniciantes até especialistas.
Graças à sua tecnologia de ponta, o MEV-FEG SU5000 possui uma ampla gama de aplicações em diversas áreas científicas e industriais. A seguir, destacamos algumas de suas principais áreas de aplicação:
Essas imagens são cortesias do Professor Kubota, NIPS, Japão, e do Dr. Ushiki e Dr. Koga, da Universidade de Niigata (Asahikawa Medical University).
Além disso, o Detector de Elétrons de Backscatter (BSD) anular recentemente desenvolvido fornece informações topográficas e composicionais simultaneamente. A amostra é cortesia da Daido Steel.
Esses espécimes são cortesias do Dr. Yoshino e Dr. Terano, Instituto de Tecnologia de Tóquio.
A amostra é cortesia do Professor Egawa, Centro de Pesquisa para Nanodispositivos e Sistemas, Instituto de Tecnologia de Nagoya, Japão.
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SU5000, o MEV de alta resolução para todos os níveis!
Córtex Frontal de Rato | Neurônio do gânglio da raiz dorsal de rato |
Imagem 2 kV BSE (seção fina) Espécime cortesia do Professor Kubota, NIPS, Japão
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Imagem SE 5 kV Espécime cortesia de Dr. Ushiki e Dr. Koga (*), Universidade Niigata *: Asahikawa Medical University |
Estrutura externa de nanotubo de carbono com várias paredes | Ímã de neodímio |
Adquirido a 500 V de energia de aterrissagem, Mag = 200kX.
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2 kV, imagens BSE As informações de múltiplos ângulos de um Detector de Elétrons de Backscatter (BSD) anular recentemente desenvolvido adquirem informações topográficas e composicionais simultaneamente. Amostra cortesia da Daido Steel. |
Amostra: Filme fino de ouro em substrato de quartzo
HV = 10 kV
Amostra cortesia do Dr. Yoshino e Dr. Terano, Instituto de Tecnologia de Tóquio
Imagens da etapa atômica e deslocamento do segmento de n-GaN em Si
HV = 15 kV, imagens BSE
Espécime cortesia do Professor Egawa, |
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